|
Повестка семинара
1. Доклад "Исследование перспективной архитектуры метализации чипов методом стоячих рентгеновских волн"
Докладчик: К.В. Николаев
Аннотация:
Уменьшение масштаба топологии микросхем требует уменьшения размера дорожек в слое металлизации. Металлизация в современных чипах основывается на медной технологии, которая исчерпала свои возможности масштабирования, и сейчас разрабатываются технологии на основе других материалов. Разработка такой технологии подразумевает рутинную характеризацию диффузии материала проводника в слое металлизации, причём не столько в вертикальном направлении, сколько в латеральном. Для решения таких задач можно использовать метод стоячих рентгеновских волн (3D СРВ). На станции СИ “Микрофокус” мы провели пилотные измерения по методу 3D СРВ на опытном образце рутениевой метализации. Целью эксперимента было показать возможность исследования латеральной диффузии в слоях металлизации при помощи источников СИ. Краткое описание метода и предварительные результаты будут представлены в докладе.
2. Доклад "Метод визуализации кривой качания для исследования пространственного распределения деформаций кристаллов под воздействием упругих колебаний"
Диссертация Коржова Виктора Александровича на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук по специальности 1.3.20 "Кристаллография, физика кристаллов"
Все семинары |
